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使得电池表面的钝化效果恶化,导致填充因子(FF),短路电流(Isc),开路电压(Voc)降低,使得组件的性能低于设计标准,发电能力也随之下降。
2010年,NREL和Solon证实了无论组件采取何种技术的P型晶硅电池,组件在负偏压下都有PID的风险。
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